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曝长鑫存储进军 NAND 闪存：与三星、海力士等竞争

发表于 2026-9-19 01:30:22 来自手机 | 显示全部楼层 |阅读模式

据路透社 9 月 18 日报道，长鑫存储正筹备进入 NAND 闪存市场，并计划在北京新工厂建设 NAND 研发及生产线。公司还已在北京设立研究机构，NAND 被列为重点研发方向之一。

报道称，长鑫存储已经开始与潜在客户接洽，其中包括一家计划将其 NAND 芯片用于 AI 系统及超级计算机存储产品的初创企业。如果计划落地，长期专注 DRAM 的长鑫将首次跨入 NAND 市场，与长江存储，以及三星电子、SK 海力士、美光等厂商形成直接竞争。

（该消息来自知情人士，长鑫存储目前尚未正式官宣。）

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