长鑫第五代技术平台正式量产，24GB LPDDR5X打入国产旗舰

月下琴音

9月20日，在2026世界制造业大会上，长鑫科技正式宣布其第五代DRAM技术平台（简称G5平台）实现量产。这标志着国产存储芯片在工艺微缩、产能效率以及高端移动内存应用上迈出了关键一步。

核心工艺指标达到行业顶尖水平

长鑫本次公布的G5平台在微观结构上实现了极高精度的优化，主要技术突破包括：

11.95纳米半间距： 通过创新的四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米。这一工艺节点已经非常接近全球最顶尖的内存量产平台制程。

极致的深宽比： 通过变革工艺流程和引入新材料，存储器电容深宽比达到了45:1。

核心动能区高度降低： 成功开发并适配了高介电常数金属栅（HKMG）工艺，使核心动能区高度降至6762纳米。

晶圆产出提升50%，成本优势显著

对于半导体制造企业而言，产能和良率是核心竞争壁垒。得益于G5微缩工艺的突破，第五代工艺平台的存储密度有了大幅跨越。在同等生产条件下，每张晶圆的裸片产出量较上一代平台提升了50%以上。

这一指标的提升，不仅能有效摊薄单位芯片的生产成本，也为后续大规模向市场供货提供了充足的产能保障。

24GB LPDDR5X全面进入国产旗舰手机

伴随着技术平台的量产，基于G5平台打造的24GB LPDDR5X存储产品也已经进入正式量产阶段。

LPDDR5X是目前高端智能手机和便携式消费电子的核心配置。长鑫这款高容量、高速率的内存产品成功全面进入国产主流旗舰手机供应链，不仅打破了海外厂商在高端移动内存市场的垄断，也为国产旗舰手机在运行大型游戏、端侧AI大模型等高负载场景时，提供了更强有力的底层硬件支持。

国产DRAM产业正从“追赶者”向“并跑者”转变，未来在智能手机、AI终端及服务器领域的应用前景十分广阔。